FET IRFB3006PBF 1個
インフィニオン・テクノロジー FET IRFB3006PBF 1個●FETタイプMOSFET Nチャンネル、酸化金属●FET機能論理レベルゲート●ドレイン-ソース間電圧（Vdss）60V●電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）195A（Tc）●Id、Vgs印加時のRds On（最大）2.5mΩ@170A、10V●Id印加時のVgs（th）（最大）4V@250μA●Vgs印加時のゲート電荷（Qg）300nC@10V●Vds印加時の入力容量（Ciss）8970pF@50V●最大電力375W●実装タイプスルーホール特徴IRFB3006PBF
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